SAIMEMORY и Intel: Z-Angle Memory может стать альтернативой HBM

Intel совместно с дочерней компанией SoftBank — SAIMEMORY — планирует разработку нового типа памяти под названием Z-Angle Memory (ZAM). Компании опубликовали соответствующее соглашение о намерениях . Поскольку речь идет о фундаментальных исследованиях в области памяти, проект поддерживается программой Advanced Memory Technology (AMT) R&D, которую курируют Министерство энергетики США и Национальное управление ядерной безопасности при участии национальных лабораторий Sandia, Lawrence Livermore и Los Alamos.

Подробностей о новой технологии пока немного. Известно, что в основе ZAM будут лежать DRAM-кристаллы, а Intel внесет в проект собственную разработку — технологию Next Generation DRAM Bonding (NGDB).

{nozuna nzimagefromgallery}eed9046a-012b-11f1-8b63-000c2932240f 1{/nozuna nzimagefromgallery}

Работы Intel и SAIMEMORY должны стартовать в первом квартале 2026 года. Первые прототипы ожидаются в 2027-м, а коммерческий продукт, согласно текущему плану, может появиться не ...