На конференции Intel представлена новая память для ИИ — Z-Angle Memory
Примечательно, что, хотя влияние ZAM на HBM еще предстоит оценить в полной мере, первые отчеты указывают на ряд революционных преимуществ. TrendForce отмечает, что эта память может снизить энергопотребление на 40–50 %, упростить производство за счет межсоединений Z-Angle и вмещать до 512 ГБ на чип. Intel , объявившая о партнерстве с SAIMEMORY, сообщила, что прототипы появятся в 2027 году, а полномасштабное внедрение ожидается к 2030 году.
PC Watch приводит более подробную информацию об этом продукте, отмечая, что, хотя традиционная память создавалась на основе планарной многослойной структуры, этот подход исчерпал свои возможности из-за ограничений по энергопотреблению и тепловыделению. В современных разработках уже используется 16-слойная структура, а 20 слоев считаются пределом.
В ZAM кристаллы расположены вертикально. Такая конструкция обеспечивает более низкое энергопотребление, большую емкость и более широкую полосу пропускания по сравнению с обычной DRAM. Благодаря вертикальному расположению кристаллов тепло от каждого из них равномерно отводится вверх, что решает проблему перегрева, которая долгое время была характерна для планарной компоновки, говорится в отчете.
В подтверждение этого Wccftech со ссылкой на Intel отмечает, что главное преимущество этой архитектуры заключается в улучшенном управлении температурным режимом.
Стоит отметить, что Intel может быть не единственным глобальным партнером SAIMEMORY. По данным PC Watch, SAIMEMORY делает упор на прочные партнерские отношения, в том числе сотрудничество с SoftBank и Intel, а также с сетью местных и международных инвесторов и партнеров по цепочке поставок.
Сообщение На конференции Intel представлена новая память для ИИ — Z-Angle Memory появились сначала на Время электроники.